| 申请日期 | 2025-07-09 | 申请号 | TW107101842 |
| 公开（公告）号 | TW201916010A | 公开（公告）日 | 2019-04-16 |
| 公开国别 | TW | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 日商东芝记忆体股份有限公司 | ||
| 简介 | 本发明之实施形态提供一种可获得较高之垂直磁各向异性及磁阻效应、并且获得较高之保留特性之磁性装置及其制造方法 实施形态之磁性装置具备磁阻效应元件上述磁阻效应元件包含第1强磁性体、第2强磁性体、及第1稀土类磁性氧化物上述第1稀土类磁性氧化物系设置於上述第1强磁性体及上述第2强磁性体之间且将上述第1强磁性体及上述第2强磁性体磁性耦合 | ||
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