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具有低温度系数的稀土钴基永磁体及其制备方法 发明申请

2023-07-11 4990 468K 0

专利信息

申请日期 2026-04-25 申请号 CN201110365123.1
公开(公告)号 CN102403082A 公开(公告)日 2012-04-04
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 钢铁研究总院
简介 本发明公开了一种具有低温度系数的稀土钴基永磁体及其制备方法。具有低温度系数的稀土钴基永磁体的化学成分按质量百分比为:Sm10%~20%、RE8%~16%、Fe14%~17%、Cu5%~8%、Zr1%~3%、余量为Co,其中,重稀土元素RE是从Gd、Dy、Tb、Er和Ho中选择的至少两种。根据本发明的稀土钴基永磁体不仅可以具有超低温度系数,而且具有高的磁性能,适用于精密磁性器件的核心部件。


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