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一种自调Q激光晶体材料及其用途 发明申请

2023-05-18 2560 251K 0

专利信息

申请日期 2025-09-19 申请号 CN201010279093.8
公开(公告)号 CN102403649A 公开(公告)日 2012-04-04
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 中国科学院理化技术研究所
简介 本发明涉及一种自调Q激光晶体及其用途;该自调Q激光晶体的化学式为Na3La9-xRExB8O27,0<x<9,RE为Pr3+、Nd3+、Sm3+,Dy3+、Ho3+、Er3+、Tm3+、和Yb3+稀土离子中的一种或两种;该自调Q激光晶体属于D3h-62m点群,线性电光系数矩阵为只有一个电光系数γ22,且该电光系数γ22=2.3pm/V;该自调Q激光晶体具有不潮解,抗激光损伤阈值大等优点;可用于制作结构简单紧凑的自调Q脉冲激光器件。


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