| 申请日期 | 2025-06-24 | 申请号 | TW100109714 |
| 公开（公告）号 | TW201214822A | 公开（公告）日 | 2012-04-01 |
| 公开国别 | TW | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 半导体能源研究所股份有限公司 | ||
| 简介 | 本发明提供一种能够抑制驱动电压上升的发光元件以及具备该发光元件的功耗降低的发光装置。 该元件包括在阳极和阴极之间的EL层，并且在阴极和EL层之间具有第一，第二和第三层。 第一层位于阴极和第二层之间并与其接触，并且包括空穴传输物质。 第二层在第一层和第三层之间并与第一层和第三层接触，并且包括基于酞菁的材料。 第三层位于第二层和EL层之间并与第二层和EL层接触，并且包括碱金属，碱土金属，稀土金属，碱金属化合物，碱土金属化合物或稀土金属化合物。 酞菁基材料具有金属-氧键。 | ||
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