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介电陶瓷及积层陶瓷电容器 发明授权

2023-12-18 3540 1438K 0

专利信息

申请日期 2025-06-30 申请号 TW097111621
公开(公告)号 TWI361178B 公开(公告)日 2012-04-01
公开国别 TW 申请人省市代码 全国
申请人 京瓷股份有限公司
简介 本发明的介电陶瓷,系由钙浓度不同之2种以钛酸钡为主成分的结晶粒子(结晶粒子中的钙浓度少於0.3原子%的第1结晶粒子、与结晶粒子中的钙浓度达0.3原子%以上的第2结晶粒子)所构成介电陶瓷,其中,上述2种结晶粒子系相对於构成钛酸钡的钛100莫耳之下,含有:钒依V2O5换算计0.1~0.2莫耳、镁依MgO换算计0.55~0.75莫耳、从钇、镝、钬、铒及铽中选择至少1种稀土族元素(RE)依RE2O3换算计0.55~0.75莫耳、以及锰依MnO换算计0.25~0.6莫耳,且当将上述第1结晶粒子面积设为C1、将上述第2结晶粒子面积设为C2时,C2/(C1+C2)将满足0.5~0.8,同时居礼温度系85~95℃。


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