| 申请日期 | 2025-07-29 | 申请号 | CN201610705887.3 |
| 公开（公告）号 | CN106119951B | 公开（公告）日 | 2019-04-12 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 昆明理工大学 | ||
| 简介 | 本发明涉及几种低温高速生长SiC单晶的助溶剂，属于晶体生长技术领域。本发明涉及的几种助溶剂为稀土金属镨(Pr)、铈(Ce)、镧(La)、镝(Dy)和铽(Tb)，SiC单晶的生长方法为顶部籽晶溶液生长法。首先，将上述任意一种助溶剂与高纯硅(≥99.9999%)一起加热熔融，然后，将装有SiC籽晶的籽晶杆伸入到熔体液面下0.5~5cm处，旋转籽晶杆或者熔融容器进行SiC单晶的生长；晶体生长结束后将籽晶杆从熔体中移出；最后，用HNO3+HF的混酸去除SiC单晶表面的残留物得到高纯SiC单晶。 | ||
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