| 申请日期 | 2026-04-23 | 申请号 | TW094110692 |
| 公开（公告）号 | TWI360833B | 公开（公告）日 | 2012-03-21 |
| 公开国别 | TW | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 格罗方德半导体公司 | ||
| 简介 | 一种绝缘体上覆半导体(SOI)装置系包含有钙钛矿晶格的介电质材料(52)层，例如稀土金属钪酸盐。该介电质材料(52)系经选定以便具有有效晶格常数，藉此能直接成长具有钻石晶格的半导体材料(54)於该介电质(52)上。该稀土金属钪酸盐介电质的实施例包含：钪酸钆(GdScO3)、钪酸镝(DyScO3)、以及钪酸钆与钪酸镝的合金(Gd1－xDyxScO3)。 | ||
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