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R-T-B-M系烧结磁体用合金及其制造方法 发明申请

2023-01-20 1870 1155K 0

专利信息

申请日期 2025-07-11 申请号 CN201080013059.4
公开(公告)号 CN102361998A 公开(公告)日 2012-02-22
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 日立金属株式会社
简介 为了能够制造在整个烧结磁体整体中在晶粒的主相外壳中存在富含Dy的R2T14B的R-T-B-M系烧结磁体,预先在作为R-T-B-M系烧结磁体用合金的主相的R2T14B化合物的结晶与其以外的相的界面部分连续生成重稀土元素RH的浓度高的区域。


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