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PRECURSORS FOR DEPOSITION OF METAL OXIDE LAYERS OR FILMS 发明授权

2023-07-21 2750 712K 0

专利信息

申请日期 2025-07-08 申请号 KR1020057017513
公开(公告)号 KR101120150B1 公开(公告)日 2012-02-17
公开国别 KR 申请人省市代码 全国
申请人 SIGMA ALDRICH CO
简介 Rare earth metal precursors, for use in MOCVD techniques have a ligand of the general formula OCR1(R2)CH2X, wherein R1 is H or an alkyl group, R2 is an optionally substituted alkyl group and X is selected from OR and NR2, wherein R is an alkyl group or a substituted alkyl group. Methods of making such precursors and methods of depositing metal oxide layers from such precursors are also described.


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