| 申请日期 | 2025-09-12 | 申请号 | TW100113716 |
| 公开（公告）号 | TW201205818A | 公开（公告）日 | 2012-02-01 |
| 公开国别 | TW | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 神户制钢所股份有限公司 | ||
| 简介 | 系提供一种薄膜电晶体的开关特性佳, 即使在ZnO浓度特高之区域, 且即使在形成保护膜後以及施加应力後, 亦可稳定地得到良好特性之薄膜电晶体半导体层用氧化物。本发明之薄膜电晶体之半导体层用氧化物, 为使用在薄膜电晶体的半导体层之氧化物, 前述氧化物系含有Zn及Sn, 且进一步含有选自由Al、Hf、Ta、Ti、Nb、Mg、Ga、及稀土类元素所组成之X群的至少一种元素。 | ||
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