| 申请日期 | 2025-06-25 | 申请号 | TW100103963 |
| 公开（公告）号 | TW201202489A | 公开（公告）日 | 2012-01-16 |
| 公开国别 | TW | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 吉坤日矿日石金属有限公司; | ||
| 简介 | 本发明提供可以防止於氮化物系化合物半导体层产生翘曲，使面内的脱离角之离散度很小的氮化物系化合物半导体层可以再现性佳地成长之技术。其系於利用氢化物气相成长法(HVPE：Hydride Vapor Phase Epitaxy)之氮化物系化合物半导体基板之制造方法，具有：於稀土类钙钛矿(perovskite)基板上在第1成长温度形成低温保护层(第1步骤)，以及在此低温保护层上以比第1成长温度更高的第2成长温度形成由氮化物系化合物半导体所构成的厚膜层(第2步骤)。在第1步骤，以使HCl与NH3之供给比III/V成为0.016～0.13的方式调整HCl及NH3之供给量，以50～90nm之膜厚形成低温保护层。 | ||
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