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一种高强度高导电整体弥散铜点焊电极制备工艺方法 发明授权

2023-11-20 4180 513K 0

专利信息

申请日期 2026-04-23 申请号 CN200810050061.3
公开(公告)号 CN101293317B 公开(公告)日 2012-01-11
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 河南科技大学
简介 本发明提出的高强度高导电整体弥散铜点焊电极制备工艺方法是采用低固溶度Cu-Al合金或低固溶度稀土铜合金,其铝含量不大于1.00wt%,稀土添加量不高于0.50wt%,余量为Cu;其制备工艺包括:氧化剂和填充剂的混合;包埋;内氧化;冷(热)挤压(轧制)变形;其中氧化剂为工业级Cu2O,填充剂为工业级Al2O3;将氧化剂和填充剂混合并将Cu-Al合金或稀土铜合金棒或板包埋,氧化剂与填充剂的混合比例为(40~60)%∶(60~40)%;其烧结和内氧化同步进行,烧结温度为900~1000℃,内氧化时间为4~20小时。本发明工艺方法制备的弥散铜点焊电极不仅具有高强度、高导电性、高抗软化温度,而且具有内氧化时间短、成本低、效率高的优点。


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