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R-T-B系合金、其合金片制造方法和永久磁体及其制造用细粉 发明授权

2023-01-28 4950 1031K 0

专利信息

申请日期 2025-06-26 申请号 CN200610143106.2
公开(公告)号 CN1958824B 公开(公告)日 2011-12-28
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 昭和电工株式会社
简介 本发明涉及R-T-B系合金、其合金片制造方法和永久磁体及其制造用细粉。该R-T-B系合金作为具有良好磁特性的稀土类永久磁体的原料。该R-T-B系合金(其中R是选自包含Y的稀土元素的至少一种成分,T是必须包含Fe的过渡金属,B是硼)是用于稀土类永久磁体的原料,其中包含在短轴方向上具有3μm或更小的平均粒径的R2T17相的区域的体积百分比是从0.5到10%。


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