| 申请日期 | 2025-07-18 | 申请号 | CN200710304215.2 |
| 公开（公告）号 | CN101471244B | 公开（公告）日 | 2011-12-21 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | ||
| 简介 | 本发明公开了一种制备稀磁半导体薄膜的方法，该方法包括：选择一III族氮化物半导体薄膜材料；在该半导体薄膜材料表面采用双能态离子注入法注入稀土金属离子；将注入稀土金属离子后的样品送入快速退火炉在氮气氛中退火。利用本发明，获得了具有较好的磁学性能和半导体性能的稀磁半导体薄膜。 | ||
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