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一种低镝含量高性能烧结钕铁硼的制备方法 发明申请

2023-02-03 2630 575K 0

专利信息

申请日期 2025-07-11 申请号 CN201110242847.7
公开(公告)号 CN102280240A 公开(公告)日 2011-12-14
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 南京理工大学; 江苏晨朗电子集团有限公司
简介 本发明公开了一种低镝含量高性能烧结钕铁硼的制备方法,在制备钕铁硼粉体的基础上利用基于磁控溅射的粉体镀膜工艺,将Dy元素溅射镀覆到气流磨粉体表面,而后在烧结和回火过程中通过Dy元素的高温扩散使其充分分散到微米级钕铁硼晶粒中,达到提高烧结钕铁硼磁性能的效果。与现有技术中在配料过程中引入Dy元素相比,本方法采用物理气相沉积,粉料颗粒表面包覆层限制在纳米级别,有效控制了生产过程中Dy元素的消耗量,实现了低镝含量高性能烧结钕铁硼的制备。根据本发明得到的烧结钕铁硼稀土永磁材料,与传统铸造和粉末冶金工艺制备的相同成分的烧结钕铁硼材料相比,其内禀矫顽力、最大磁能积均有显著提高;与传统铸造和粉末冶金工艺制备的相同性能的烧结钕铁硼相比,其镝元素用量显著降低。该方法可广泛用于高性能烧结钕铁硼的生产制造。


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