| 申请日期 | 2025-07-11 | 申请号 | CN201110242847.7 |
| 公开（公告）号 | CN102280240A | 公开（公告）日 | 2011-12-14 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 南京理工大学; 江苏晨朗电子集团有限公司 | ||
| 简介 | 本发明公开了一种低镝含量高性能烧结钕铁硼的制备方法，在制备钕铁硼粉体的基础上利用基于磁控溅射的粉体镀膜工艺，将Dy元素溅射镀覆到气流磨粉体表面，而后在烧结和回火过程中通过Dy元素的高温扩散使其充分分散到微米级钕铁硼晶粒中，达到提高烧结钕铁硼磁性能的效果。与现有技术中在配料过程中引入Dy元素相比，本方法采用物理气相沉积，粉料颗粒表面包覆层限制在纳米级别，有效控制了生产过程中Dy元素的消耗量，实现了低镝含量高性能烧结钕铁硼的制备。根据本发明得到的烧结钕铁硼稀土永磁材料，与传统铸造和粉末冶金工艺制备的相同成分的烧结钕铁硼材料相比，其内禀矫顽力、最大磁能积均有显著提高；与传统铸造和粉末冶金工艺制备的相同性能的烧结钕铁硼相比，其镝元素用量显著降低。该方法可广泛用于高性能烧结钕铁硼的生产制造。 | ||
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