| 申请日期 | 2025-07-08 | 申请号 | CN201811459224.3 |
| 公开（公告）号 | CN109574680A | 公开（公告）日 | 2019-04-05 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 西安交通大学 | ||
| 简介 | 本发明公开了一种气固反应结合液相烧结法制备多孔氮化硅陶瓷的方法，以纳米炭黑和微米尺度的α‑Si3N4为原料，稀土氧化物为烧结助剂，在氮气气氛条件下，首先通过SiO粉末蒸发的气相与纳米碳黑的碳热还原氮化反应获得纳米Si3N4均匀分布的块体，再经过高温液相烧结，制备得到单一β‑Si3N4相的多孔氮化硅陶瓷。高温烧结后材料有～1％的线膨胀，基本实现了材料的净尺寸成型；多孔材料的气孔率可通过调控原料配比、成形压力和烧结温度进行大范围调控，且具有较高的强度。当气孔率为50％时，多孔Si3N4材料的抗弯强度高达160.5MPa。本发明获得的氮化硅多孔陶瓷可广泛应用于高温过滤器或催化剂载体等领域。 | ||
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