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一种稀土掺杂半导体纳米晶的水相合成方法 发明申请

2023-02-14 4940 323K 0

专利信息

申请日期 2025-08-04 申请号 CN201910001596.X
公开(公告)号 CN109575921A 公开(公告)日 2019-04-05
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 内蒙古科技大学包头师范学院
简介 本发明公开了一种稀土掺杂半导体纳米晶的水相合成方法,其特征在于,采用水相法合成CdX : Y纳米晶,其中X为元素Se或Te,Y为稀土元素Sm或稀土元素Eu,具体为配制含有Cd源、Sm源/Eu源以及稳定剂的混合溶液,将所述混合溶液的pH值调节至8‑9.5,在氮气氛围下向所述混合液中注入NaHSe/NaHTe溶液,加热完成反应,从反应液中分离得到纳米晶。本发明所述的稀土掺杂半导体纳米晶的水相合成方法,合成的纳米晶具有分散性好,结晶优良,发光效率高的特点。本发明的水相合成方法中采用的巯基稳定剂合成的纳米晶具有成本低、重复性好和易操作等优点。


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