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一种低漏电流的YDMCO薄膜及其制备方法 发明申请

2023-06-19 3060 503K 0

专利信息

申请日期 2025-07-09 申请号 CN201811496649.1
公开(公告)号 CN109576681A 公开(公告)日 2019-04-05
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 陕西科技大学
简介 本发明提供一种低漏电流的YDMCO薄膜及其制备方法,化学式为Y1‑xDyxMn0.5Cr0.5O3,其中,0.1≤x≤0.5,六方结构,空间群为P63cm。本发明的Y1‑xDyxMn0.5Cr0.5O3薄膜是在YMnO3的A位掺杂稀土离子,B位掺杂过渡金属离子,实验证明Dy掺杂进入双棱锥结构的中间层和Cr掺杂抑制了Mn3+转变成Mn2+和Mn4+,最终使Y1‑xDyxMn0.5Cr0.5O3薄膜内部结构发生畸变,而六方结构的畸变导致薄膜的漏电流机制由欧姆机制和空间电荷机制共存转变为单一欧姆机制,最终降低了漏电流密度。


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