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铈掺杂稀土卤化物单晶的处理方法 发明申请

2023-09-03 3310 387K 0

专利信息

申请日期 2025-07-09 申请号 CN201811635123.7
公开(公告)号 CN109576789A 公开(公告)日 2019-04-05
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 厦门中烁光电科技有限公司; 中国电子科技集团公司第二十六研究所
简介 本发明提供了一种铈掺杂稀土卤化物单晶的处理方法,包括:将待处理的铈掺杂稀土卤化物单晶置于密闭容器中;将所述密闭容器置于均匀温场中;对所述密闭容器进行抽真空并通入保护性气体;和退火处理。本发明的处理方法能够有效消除铈掺杂稀土卤化物单晶的内部应力,并改善其机械性能。


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