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RADIATION DETECTOR AND FABRICATION PROCESS 发明申请

2023-05-13 2960 843K 0

专利信息

申请日期 2025-09-14 申请号 US12779355
公开(公告)号 US20110278464A1 公开(公告)日 2011-11-17
公开国别 US 申请人省市代码 全国
申请人 CLARK ANDREW; WILLIAMS DAVID L
简介 A monolithic integrated radiation detector includes a photodetector and a scintillator deposited directly on the photodetector. Preferably the photodetector is silicon and the scintillator is a rare earth phosphor. The rare earth phosphor is crystal lattice matched to the silicon by a transitional layer epitaxially grown therebetween.


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