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R-T-B系烧结磁体的制造方法和扩散源 发明申请

2023-10-20 4330 776K 0

专利信息

申请日期 2025-07-09 申请号 CN201811140238.9
公开(公告)号 CN109585108A 公开(公告)日 2019-04-05
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 日立金属株式会社
简介 包括:准备R1‑T‑B系烧结磁体原材料(R1为稀土元素,T为Fe或Fe和Co)的工序;准备含有必定包括Dy和Tb的至少一种的稀土元素R2占整体的40质量%以上的合金的工序;对上述合金以比上述合金的熔点低270℃的温度以上、熔点以下的温度进行热处理,将热处理后的合金粉碎,由此得到扩散源的工序;将上述R1‑T‑B系烧结磁体原材料和上述扩散源配置于处理容器内,将上述R1‑T‑B系烧结磁体原材料和上述扩散源加热至上述R1‑T‑B系烧结磁体原材料的烧结温度以下的温度,使上述扩散源所含的Dy和Tb的至少一种从上述R1‑T‑B系烧结磁体原材料的表面扩散到内部的扩散工序,上述合金是通过熔态旋凝法制得的合金。


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