| 申请日期 | 2025-06-27 | 申请号 | CN200980149781.8 |
| 公开（公告）号 | CN102245537A | 公开（公告）日 | 2011-11-16 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 株式会社村田制作所 | ||
| 简介 | 本发明的半导体陶瓷，以具有由通式AmBO3表示的钙钛矿型结构的BamTiO3类组合物作为主成分，构成A位的Ba的一部分被Na、Bi、Ca以及离子半径比所述Na小的稀土元素取代，同时将所述构成A位的元素的总摩尔数设为1摩尔时，所述稀土元素的含量以摩尔比换算计为0.0005～0.015，并且将所述构成A位的元素的总摩尔数设为1摩尔时，所述Ca的含量以摩尔比换算计为0.05～0.20(优选为0.125以上且0.175以下)。正特性热敏电阻，部件基体(1)用该半导体陶瓷形成。由此即使含有碱金属元素，也具有良好的可靠性。 | ||
|
您还没有登录，请登录后查看下载地址
|
客服热线：
手机版
二维码
