| 申请日期 | 2026-03-08 | 申请号 | CN201811140200.1 |
| 公开（公告）号 | CN109585153A | 公开（公告）日 | 2019-04-05 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 日立金属株式会社 | ||
| 简介 | 一种R－T－B系烧结磁体的制造方法，其包括：准备R1－T－B系烧结磁体原材料(R1为稀土元素，T为Fe或Fe和Co)的工序；准备含有占整体的40质量％以上的必须包含Dy和Tb中的至少一种的稀土元素R2的合金粉末的工序；以比合金粉末的熔点低250℃的温度以上、熔点以下的温度对合金粉末进行热处理，由合金粉末得到扩散源的工序；和将R1－T－B系烧结磁体原材料和扩散源配置在处理容器内，将R1－T－B系烧结磁体原材料和扩散源加热到R1－T－B系烧结磁体原材料的烧结温度以下的温度，使扩散源所含的Dy和Tb中的至少一种从R1－T－B系烧结磁体原材料的表面扩散到内部的扩散工序，合金粉末是通过雾化法制得的粉末。 | ||
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