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透明稀土掺杂钛酸铋发光铁电薄膜的制备方法 发明授权

2023-03-24 1220 203K 0

专利信息

申请日期 2025-06-29 申请号 CN200810030189.3
公开(公告)号 CN101337772B 公开(公告)日 2011-11-09
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 中山大学
简介 本发明公开了一种透明稀土掺杂钛酸铋发光铁电薄膜及其制备方法。本发明提供的薄膜,含有(Bi4-xLnx)Ti3O12,其中0≤x≤0.85,Ln是稀土元素Pr,Dy,Ho,Er,Eu,Tm或Yb。本发明还提供了上述发光铁电薄膜的制备方法,包括以下步骤:制备前驱体溶液;涂覆;烘烤;退火。本发明提供的发光铁电薄膜,除了具有良好的铁电、介电、光学透过率性能外,还发现具有光致发光的性能。本发明提供的制备透明稀土掺杂钛酸铋发光铁电薄膜的方法易于控制薄膜成分,均匀性好,而且制备成本低,条件温和,易于大面积成膜,制得的薄膜均匀致密无裂纹。本发明提供的技术方案使得这类材料在光电材料领域中具有更为广泛的应用前景。


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