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Magnetic device 发明申请

2023-07-18 4610 283K 0

专利信息

申请日期 2025-07-26 申请号 JP2017175925
公开(公告)号 JP2019054054A 公开(公告)日 2019-04-04
公开国别 JP 申请人省市代码 全国
申请人 TOSHIBA MEMORY CORP
简介 To obtain high retention characteristics while obtaining high perpendicular magnetic anisotropy and magnetic resistance effect.SOLUTION : A magnetic device is equipped with a magnetic resistance effect element. The magnetic resistance effect element includes : a first ferromagnetic layer; a second ferromagnetic layer; and a first rare earth magnetic oxide layer. The first rare earth magnetic oxide layer is provided between the first ferromagnetic layer and the second ferromagnetic layer and magnetically couples the first ferromagnetic layer and the second ferromagnetic layer.SELECTED DRAWING : Figure 3


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