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铜钯合金单晶键合丝及其制造方法 发明申请

2023-12-05 4100 588K 0

专利信息

申请日期 2025-07-29 申请号 CN201110156014.9
公开(公告)号 CN102226991A 公开(公告)日 2011-10-26
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 徐云管
简介 一种铜钯合金单晶键合丝及其制造方法,铜钯单晶键合丝的基体材料由下列重量百分比数的原料组成:钯:1.35%-10.18%,Ca:0.0001—0.0003%、Re:0.0002—0.0008%、其余为铜,其制造方法包括:提取高纯铜和高纯钯、制备单晶铜钯合金棒、然后在其表面镀钯、粗精拔、热处理、表面清洗和分卷步骤。本发明摒弃了传统工艺先拉拔、后电镀工艺,先制成线径小于3mm的单晶铜钯合金丝,然后电镀钯层,最后拉拔成钯铜合金键合丝成品。本产品可以有效提升键合铜丝的抗氧化性能,使其抗氧化性与键合金丝相当;大大延长键合铜丝产品拆封后的保质期;内部加入钯、钙、稀土等元素使得合金的成品比其它方式的生产的材料的机械强度更高,有利于进一步缩小键合丝的线径,缩短焊接间距,更加适用于高密度、多引脚集成电路封装。


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