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Aluminum nitride ceramics, aluminum nitride ceramics and semiconductor manufacturing member manufac 发明授权

2023-03-17 2040 3534K 0

专利信息

申请日期 2025-07-26 申请号 JP2005178590
公开(公告)号 JP4804046B2 公开(公告)日 2011-10-26
公开国别 JP 申请人省市代码 全国
申请人 NGK Insulators Ltd4064
简介 An aluminum nitride ceramic including aluminum nitride grains and grain boundary phases comprises a grain boundary phase-rich layer including more amount of the grain boundary phases in a surface layer of the aluminum nitride ceramic than in an inside of the aluminum nitride ceramic. The grain boundary phases in the grain boundary phase-rich layer include at least one of rare earth element and alkali earth element.


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