| 申请日期 | 2025-08-28 | 申请号 | CN201110091332.1 |
| 公开（公告）号 | CN102219506A | 公开（公告）日 | 2011-10-19 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 武汉理工大学 | ||
| 简介 | 本发明提供稀土Nd和SiO2掺杂SrTiO3基介质陶瓷，它包括NdxSr1-xTiO3和SiO2，SiO2的掺入量为NdxSr1-xTiO3质量的0.05~0.8%，其中，x=0.08~0.14。本发明还提供上述SrTiO3基介质陶瓷的制备方法。通过稀土Nd和微量SiO2的掺杂使材料在尽量保持高介电常数的同时降低体系的介电损耗值，优化材料的综合性能，得到介电常数较高，介电损耗较低、容温变化率较好的材料，且制备工艺简单，有助于材料制备的发展和应用。 | ||
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