| 申请日期 | 2025-06-24 | 申请号 | TW097108920 |
| 公开（公告）号 | TWI350547B | 公开（公告）日 | 2011-10-11 |
| 公开国别 | TW | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 村田制作所股份有限公司 | ||
| 简介 | 本发明提供一种积层正热阻器，其中位於陶瓷素体中央部之半导体陶瓷层之孔隙率大致维持与以往等高，同时位於陶瓷素体表面部之半导体陶瓷层之孔隙率比位於陶瓷素体中央部之半导体陶瓷层之孔隙率高。本发明之积层正热阻器，其特徵为具有：陶瓷素体，其系由复数半导体陶瓷层与复数内部电极积层而成，该等半导体陶瓷层包含以BaTiO3为主成分并含稀土类元素作为半导体化剂之陶瓷材料；将分别位於积层方向最外侧之2个内部电极间所存在之复数半导体陶瓷层作为有效层，将比分别位於最外侧之2个内部电极更加位於陶瓷素体表面部之半导体陶瓷层作为保护层时，保护层所含之半导体化剂之离子半径比有效层所含之半导体化剂之离子半径大。 | ||
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