| 申请日期 | 2026-03-14 | 申请号 | CN201110063135.9 |
| 公开（公告）号 | CN102195002A | 公开（公告）日 | 2011-09-21 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | ||
| 简介 | 一种发光元件，该发光元件在阳极与阴极之间具有EL层，并且在阴极与EL层之间具有第一层、第二层及第三层，其中，第一层设置在阴极与第二层之间并接触于阴极及第二层且由空穴传输物质及受主物质构成，第二层设置在第一层与第三层之间并接触于第一层及第三层且由酞菁类材料构成，第三层设置在第二层与EL层之间并接触于第二层及EL层且含有碱金属、碱土金属、稀土金属、碱金属化合物、碱土金属化合物或稀土金属化合物。 | ||
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