| 申请日期 | 2025-06-27 | 申请号 | CN201010619504.3 |
| 公开（公告）号 | CN102167588A | 公开（公告）日 | 2011-08-31 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 上海交通大学 | ||
| 简介 | 一种超导材料制备技术领域的基于钕钡铜氧保护层作熔融生长籽晶的超导块材制备方法，通过将NdBCO+Ag2O块体材料实验中的NdBCO保护层解理下来作为籽晶；然后将稀土钡铜氧粉料或混合有Ag2O的稀土钡铜氧粉料压块，将籽晶放置在粉料块的顶面上并使NdBCO保护层的(001)面接触粉料块；再把粉料块放入炉中并升温至Tmax＝1080℃后保温1.5小时，然后快速降温到开始温度Ts，以0.3℃/小时的速度，缓慢降温生长10小时，实现超导块材制备。本发明制备过程简易且成本低廉，在生长得到高质量单畴块体材料的同时，能有效降低籽晶使用成本。 | ||
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