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一种水氧敏感型稀土卤化物晶体的切割方法 发明申请

2023-05-13 3120 304K 0

专利信息

申请日期 2025-09-14 申请号 CN201010601265.9
公开(公告)号 CN102139517A 公开(公告)日 2011-08-03
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 福建福晶科技股份有限公司
简介 本发明涉及一种水氧敏感型稀土卤化物晶体的切割方法。本发明采用线切割的方法,晶体表面采用疏水性保护油脂或聚酰亚胺保护,将氧化铝、碳化硅、氧化铈或其混合物与保护性切割油按一定比例混合制成切割泥浆,利用线切割机实现水氧敏感型稀土卤化物晶体的切割。本发明设计了晶体表面保护层和切割过程中隔水隔氧保护性油的共同防护,采用装有镀或未镀金刚石的不锈钢切割线的线切割机,实现了水氧敏感型晶体的连续切割。本发明切割的晶体,厚度均匀,表面没有潮解的问题,保证了晶体后续的加工与利用。


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