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光致发光晶片及其制备方法和应用 发明申请

2023-11-06 4000 1383K 0

专利信息

申请日期 2025-07-08 申请号 CN201010616828.1
公开(公告)号 CN102140690A 公开(公告)日 2011-08-03
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 陈哲艮
简介 本发明涉及发光二极管(LED)制造领域,尤其涉及用于LED的光致发光晶片及其制备方法和应用。光致发光晶片,所述的光致发光晶片为具有通式为A3B5O12的石榴石结构不掺加任何树脂和其它粘结剂的片状晶体,光致发光晶片的厚度≥20μm,晶粒的尺寸≥10μm;并且,所述的光致发光晶片的元素成分中包括:第一元素A为稀土元素Y、Lu、La、Gd或Sm中的至少一种;第二元素B为元素Al、Ga或In中的至少一种;激活元素为稀土元素Ce,Pr,Tb或Dy中至少一种。本发明光致发光晶片具有以下特点:发光效率高,发光均匀性好;不会由于粘结剂的光吸收而减小发光层的透光性;光致发光晶片表面容易实施各种光学处理。


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