| 申请日期 | 2025-07-17 | 申请号 | TW096136008 |
| 公开（公告）号 | TWI346094B | 公开（公告）日 | 2011-08-01 |
| 公开国别 | TW | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 村田制作所股份有限公司 | ||
| 简介 | 本发明提供一种钛酸钡系半导体磁器组合物及PTC元件，该钛酸钡系半导体磁器组合物中，居里温度较高，室温下之电阻率较低，且具有所需之电阻变化率。本发明之钛酸钡系半导体磁器组合物具有至少包括钡与钛之钙钛矿构造，且钡之一部分至少由硷金属元素、铋及稀土类元素取代，当钛之含量为100莫耳份时，硷金属元素、铋及稀土类元素之以莫耳份表示之各含量的关系为，(硷金属元素之含量)/{(铋含量)+(稀土类元素之含量)}之比率为1.00以上且1.06以下。PTC热阻器(1)包括：含有具有上述特徵之钛酸钡系半导体磁器组合物之陶瓷坯体(20)；以及形成於该陶瓷坯体(20)两侧面之电极(11、12)。 | ||
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