| 申请日期 | 2026-03-08 | 申请号 | CN200910079970.4 |
| 公开（公告）号 | CN101498549B | 公开（公告）日 | 2011-07-27 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 北京航空航天大学 | ||
| 简介 | 本发明公开了一种具有Y2O3抗侵蚀涂层坩埚及其采用注浆成型工艺制Y2O3抗侵蚀涂层的方法，该具有Y2O3抗侵蚀涂层坩埚是采用注浆成型工艺将Y2O3抗侵蚀浆料制备在坩埚基体的内壁上，且形成厚度为0.5mm～8mm的Y2O3抗侵蚀涂层。Y2O3抗侵蚀浆料由多级Y2O3原料粉、分散剂、粘结剂和去离子水经混合均匀得到。本发明具有Y2O3抗侵蚀涂层坩埚的熔炼温度达到1600℃～2000℃，能够满足高活性金属合金的熔炼，如Ti合金、Nb合金、稀土合金及含Ti、Al、Nb、Hf、稀土元素等高活性元素的合金的熔炼。 | ||
|
您还没有登录，请登录后查看下载地址
|
客服热线：
手机版
二维码
