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氮化物单晶及其制造方法 发明授权

2023-10-18 4600 565K 0

专利信息

申请日期 2025-07-18 申请号 TW093117367
公开(公告)号 TWI345002B 公开(公告)日 2011-07-11
公开国别 TW 申请人省市代码 全国
申请人 住友电气工业股份有限公司
简介 本发明为一种氮化物单晶之制造方法,其系包含藉由在氮化物结晶(11)周围形成含有稀土族元素化合物之物质输送媒体层(12),使种晶(13)接触该物质输送媒体层(12),以在该种晶(13)上成长氮化物单晶(14)之工序。再者,本发明为一种氮化物单晶之制造方法,作为物质输送媒体层(12)者含有由铝化合物、硷土族化合物、及过渡金属化合物所组成之群族中选出之1种以上之化合物与稀土元素之化合物。藉由此制造方法,可得到晶径为10 mm以上之大的氮化物单晶。


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