| 申请日期 | 2025-07-07 | 申请号 | CN201010022442.8 |
| 公开（公告）号 | CN102117883A | 公开（公告）日 | 2011-07-06 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 同济大学 | ||
| 简介 | 本发明涉及一种降低相变存储器单元操作功耗的方法，包括如下步骤：(1)在SiO2/Si基片上涂覆CeO2薄膜；(2)将步骤(1)中制备的涂覆有CeO2薄膜的SiO2/Si基片退火处理，制得具有缓冲层的SiO2/Si基片；(3)在步骤(2)中制备的具有缓冲层的SiO2/Si基片上，涂覆GST相变材料，并封装成相变存储器器件。本发明利用稀土金属氧化物CeO2薄膜材料作为缓冲层，能有效降低相变存储器单元操作电压，从而降低功耗。 | ||
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