| 申请日期 | 2025-11-26 | 申请号 | TW098143859 |
| 公开（公告）号 | TW201123304A | 公开（公告）日 | 2011-07-01 |
| 公开国别 | TW | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 国立台湾科技大学 | ||
| 简介 | 本发明系提供一种半导体装置，包括一含矽材料；一导电层，位於此含矽材料上；以及一扩散阻障层，位於此含矽材料与此导电层之间，其中此扩散阻障层系为一稀土元素之钪酸盐(rare earth scandate)。此外，本发明亦提供一种以此稀土元素之钪酸盐作为扩散阻障层之镶嵌结构。 | ||
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