| 申请日期 | 2025-06-28 | 申请号 | CN200980126052.0 |
| 公开（公告）号 | CN102105418A | 公开（公告）日 | 2011-06-22 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 日立金属株式会社 | ||
| 简介 | 本发明提供一种氮化硅基板及其制造方法以及使用该氮化硅基板的氮化硅电路基板以及半导体模块。所述氮化硅基板由高强度且高热传导率的氮化硅质烧结体形成。一种氮化硅质烧结体，其包含β型氮化硅的晶粒11和晶界相，所述晶界相含有至少1种稀土类元素(RE)、镁(Mg)和硅(Si)，对于所述氮化硅基板，前述晶界相包含非晶相12和MgSiN2晶相13，含有前述稀土类元素(RE)的晶相的任一个晶面的X线衍射峰强度也低于前述β型氮化硅的晶粒的(110)、(200)、(101)、(210)、(201)、(310)、(320)及(002)的衍射峰强度之和的0.0005倍，前述MgSiN2晶相13的(121)的X射线衍射峰强度为前述β型氮化硅的晶粒的(110)、(200)、(101)、(210)、(201)、(310)、(320)及(002)的X射线衍射峰强度之和的0.0005～0.003倍。 | ||
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