| 申请日期 | 2025-07-18 | 申请号 | CN200980129196.1 |
| 公开（公告）号 | CN102105619A | 公开（公告）日 | 2011-06-22 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 出光兴产株式会社 | ||
| 简介 | 本发明是提供可抑制使用溅射法的氧化物半导体膜成膜时产生异常放电，可连续稳定成膜的溅射靶。提供具有稀土氧化物C型的结晶结构、表面无白点(溅射靶表面上所产生的凹凸等的外观不良)的溅射靶用的氧化物。本发明提供具有方铁锰矿结构的含有氧化铟、氧化镓、氧化锌的氧化物烧结体，铟(In)、镓(Ga)及锌(Zn)的组成量为以原子％表示满足下式。In/(In+Ga+Zn)＜0.75 | ||
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