| 申请日期 | 2025-07-08 | 申请号 | CN200810246838.3 |
| 公开（公告）号 | CN101447377B | 公开（公告）日 | 2011-06-15 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 北京工业大学 | ||
| 简介 | 本发明公开了一种Y2O3-Gd2O3体系复合稀土-钼电子发射材料及其制备方法，属于二次电子发射材料技术领域。现有二次电子发射材料无法满足较高的电子发射要求。本发明特征在于：使用稀土元素钇和钆作为添加元素，按不同比例掺杂到金属钼中制备阴极材料。本发明由Gd2O3和Y2O3两种稀土氧化物任意比例混合，该混合的稀土氧化物占发射材料总重量的30％wt，其余为钼。本发明制成稀土-钼次级电子发射材料，其次级电子发射系数高于含镧的阴极而最佳激活温度低于含镧阴极，在较大的电压范围内发射性能稳定，优于含铈的阴极。 | ||
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