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一种钛酸钡基表面氧化层型陶瓷电容器介质材料及其制备方法 发明申请

2023-05-22 4080 703K 0

专利信息

申请日期 2025-07-08 申请号 CN201010591296.0
公开(公告)号 CN102093052A 公开(公告)日 2011-06-15
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 厦门松元电子有限公司
简介 本发明所述一种钛酸钡基表面氧化层型陶瓷电容器介质材料及其制备方法,由主晶相成分和稀土氧化物及改性添加剂组成,具体如下:1)以固相法合成的固溶体(Ba1-xCax)m(Ti1-yZry)O3,(x=0.001~0.15,y=0.015~0.25,m=0.995~1.050)作为主晶相成分;2)所述稀土氧化物包括La2O3、CeO2、Nd2O3、Ga2O3、Sm2O3、Dy2O3、Pr6O11中的一种或一种以上混合物;改性剂包括MnCO3、MnO2、Nb2O5、Y2O3、ZnO、SiO2、Bi2O3、Al2O3、Ta2O5、Sb2O5中的一种或一种以上混合物。经过合理配方,优化合成工艺,得到可以在1250℃~1350℃温度范围内烧结,形成室温介电常数介于11, 000~15, 000,容温变化率介于+22%~-82%,室温介电损耗≤0.5%,均匀性好的连续可调Y5V半导性陶瓷电容器介质材料。


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