申请日期 | 2025-06-26 | 申请号 | TW099119064 |
公开(公告)号 | TW201110209A | 公开(公告)日 | 2011-03-16 |
公开国别 | TW | 申请人省市代码 | 全国 |
申请人 | IMEC公司; 大日本网屏制造股份有限公司 | ||
简介 | 本发明的基板处理方法, 系包括有 : 准备含有稀土族氧化物及硷土族氧化物中至少1种的氧化膜(13、14), 且该氧化膜(13、14)至少其中一部分呈裸露出的半导体基板(W、11)之步骤; 以及对上述半导体基板(W、11)上的上述氧化膜(13、14), 供应由硷性药液或有机溶剂构成之清洗液的清洗步骤。最好上述硷性药液系pH大於7的硷性水溶液。又, 最好上述有机溶剂系大致100%以上的高浓度有机溶剂。 |
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