| 申请日期 | 2025-06-25 | 申请号 | CN201010554604.2 |
| 公开（公告）号 | CN101983920A | 公开（公告）日 | 2011-03-09 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 北京工业大学 | ||
| 简介 | 本发明公开了DyB6多晶块体阴极材料的制备方法，属于稀土硼化物阴极材料技术领域。本发明通过蒸发冷凝法制备氢化镝粉末，将硼粉和氢化镝粉末装入石墨模具中，加压压实后放入SPS烧结炉中烧结，施加30-60MPa的压力，气氛为真空度高于5Pa的真空，以100-200℃/min的升温速度升温，烧结温度为1250-1500℃，保温时间为1-10min，随炉冷到室温，即可得到DyB6多晶块体。本发明方法降低了烧结温度和烧结成本，提高了DyB6阴极的力学性能和发射性能，克服了现有的DyB6阴极材料的制备技术存在烧结温度高、制备成本高、工艺复杂等问题。 | ||
|
您还没有登录，请登录后查看下载地址
|
客服热线：
手机版
二维码
