| 申请日期 | 2025-06-29 | 申请号 | CN201811456691.0 |
| 公开（公告）号 | CN109503172A | 公开（公告）日 | 2019-03-22 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 西安交通大学 | ||
| 简介 | 本发明公开了一种具有蠕虫状晶粒的多孔碳化硅陶瓷的制备方法，该方法以碳纳米管和微米尺度的SiC为原料，稀土氧化物为烧结助剂，在氩气气氛条件下，首先通过SiO粉末蒸发的气相与碳纳米管的原位气固反应获得纳米SiC均匀分布的块体，再经过高温液相烧结，可获得具有蠕虫状晶粒多孔SiC陶瓷。SiC晶粒的尺寸遗传了碳纳米管的初始形态，因此多孔材料具有较高的强度。本发明的制备工艺简单，易于操作，通过对原料配比调配、烧结温度和保温时间改变能够有效控制孔隙尺寸及孔隙率。本发明获得的多孔碳化硅陶瓷可广泛应用于高温过滤器或催化剂载体等领域。 | ||
|
您还没有登录，请登录后查看下载地址
|
客服热线：
手机版
二维码
