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掺铕氧化钇@二氧化硅豆角状纳米电缆的制备方法 发明授权

2023-09-09 3250 3280K 0

专利信息

申请日期 2026-03-11 申请号 CN200910217730.6
公开(公告)号 CN101694018B 公开(公告)日 2011-02-09
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 长春理工大学
简介 本发明涉及一种掺铕氧化钇@二氧化硅豆角状纳米电缆的制备方法,属于纳米材料制备技术领域。本发明包括三个步骤:(1)配制纺丝液;(2)制备(PVP+稀土硝酸盐)@(PVP+正硅酸乙酯)复合纳米电缆;(3)制备Y2O3 : Eu3+@SiO2豆角状纳米电缆。对所获得的(PVP+稀土硝酸盐)@(PVP+正硅酸乙酯)复合纳米电缆进行热处理,技术参数为:升温速率为1~2℃/min,在800℃保温10~15h,之后随炉体自然冷却至室温,得到Y2O3 : Eu3+@SiO2豆角状纳米电缆,该电缆可以应用于纳米结构器件。


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