| 申请日期 | 2025-06-27 | 申请号 | TW099116177 |
| 公开（公告）号 | TW201104837A | 公开（公告）日 | 2011-02-01 |
| 公开国别 | TW | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 瑞萨电子股份有限公司 | ||
| 简介 | 本发明系用以提高包含高介电系数闸极绝缘膜及金属闸极电极之CMISFET之性能。n通道型MISFET Qn包含经由作为闸极绝缘膜而发挥作用之含Hf绝缘膜3a形成於半导体基板1之p型井PW之表面上的闸极电极GE1，p通道型MISFET Qp包含经由作为闸极绝缘膜而发挥作用之含Hf绝缘膜3b形成於n型井NW之表面上之闸极电极GE2。闸极电极GE1、GE2具有金属膜7与其上之矽膜8之积层构造。含Hf绝缘膜3a系包含Hf、稀土类元素、Si、O及N之绝缘材料膜或者包含Hf、稀土类元素、Si及O之绝缘材料膜，含Hf绝缘膜3b系包含Hf、Al、O及N之绝缘材料膜或者包含Hf、Al及O之绝缘材料膜。 | ||
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