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稀土掺杂SiO2基质发光薄膜的制备方法 发明授权

2023-11-28 4740 325K 0

专利信息

申请日期 2025-06-26 申请号 CN200910022294.7
公开(公告)号 CN101538705B 公开(公告)日 2010-12-29
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 西北大学
简介 本发明公开了一种稀土掺杂SiO2基质发光薄膜的制备方法,包括如下步骤:(1)将正硅酸乙酯Si(C2H5O)4溶于乙醇或丙醇中;(2)上述溶液与硼酸的乙醇或丙醇水溶液混合;(3)加入盐酸或冰乙酸调节pH值2~3;(4)将可溶性铝盐加入上述溶液中;(5)加入可溶性稀土盐;(6)陈化得溶胶,制备薄膜,将薄膜在500~1500℃煅烧得发光薄膜。本发明制备的发光薄膜表面均匀,致密无开裂,薄膜粒子大小在1-50nm,厚度可控,本发明方法工艺简单、无需真空设备、成本低、原料易得且无毒。


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