| 申请日期 | 2026-03-13 | 申请号 | CN200610151099.0 |
| 公开（公告）号 | CN101197425B | 公开（公告）日 | 2010-11-10 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 哈尔滨理工大学 | ||
| 简介 | 有机光电三极管、制作方法及用途，近年来，有机薄膜三极管、有机发光二极管，以及有机二极管的研究，已从有机小分子半导体材料扩展到导电共扼高聚物，并把焦点集中在器件的物理机构和改善器件的性能以达到实用化水平上。本发明的组成包括：铝蒸发膜构成的栅极，所述的铝蒸发膜栅极两侧具有有机半导体的酞菁铜薄膜，两者之间形成肖特基壁垒，源极和漏极采用与酞菁铜蒸发膜成欧姆性接触的金蒸发膜，所述的酞菁铜采用镧系金属配合物的双核酞菁、稀土金属配位的三明治结构酞菁、16氟取代的酞菁锌，位于所述的铝蒸发膜栅极上侧的酞菁铜薄膜膜厚度为60-80nm、位于所述的铝蒸发膜栅极下侧的酞菁铜薄膜膜厚度为120-140nm，铝蒸发膜栅极厚度为17-22nm。本产品用于光电传感器件。 | ||
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