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The metal oxide layer or a precursor for forming a film 发明授权

2023-10-28 1010 249K 0

专利信息

申请日期 2025-06-26 申请号 JP2006505949
公开(公告)号 JP4575362B2 公开(公告)日 2010-11-04
公开国别 JP 申请人省市代码 全国
申请人 Sigma Aldrich Co
简介 Rare earth metal precursors, for use in MOCVD techniques have a ligand of the general formula OCR1(R2)CH2X, wherein R1 is H or an alkyl group, R2 is an optionally substituted alkyl group and X is selected from OR and NR2, wherein R is an alkyl group or a substituted alkyl group. Methods of making such precursors and methods of depositing metal oxide layers from such precursors are also described.


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